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2SA1955FVATPL3Z

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Numero di parte 2SA1955FVATPL3Z
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 797795 pcs
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Numero di parte 2SA1955FVATPL3Z fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PNP 12V 0.4A VESM Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 797795 pcs Scheda dati 2SA1955F
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 12V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA Tipo transistor PNP
Contenitore dispositivo fornitore CST3 Serie -
Potenza - Max 100mW imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SC-101, SOT-883 Altri nomi 2SA1955FVATPL3ZCT
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 130MHz Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount CST3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 400mA

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