2SA1312GRTE85LF
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| Numero di parte | 2SA1312GRTE85LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2SA1312GRTE85LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5435 pcs | Scheda dati | 2SA1312 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 120V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | Tipo transistor | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore | S-Mini | Serie | - |
| Potenza - Max | 150mW | imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Altri nomi | 2SA1312GRTE85LFCT |
| temperatura di esercizio | 125°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 100MHz | Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount S-Mini |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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