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1SS387,L3F

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Numero di parte 1SS387,L3F
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 2594966 pcs
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Numero di parte 1SS387,L3F fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 2594966 pcs Scheda dati 1SS387
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.2V @ 100mA
Tensione - inversa (Vr) (max) 80V Contenitore dispositivo fornitore ESC
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 4ns imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SC-79, SOD-523 Altri nomi 1SS387(TL3,F,D)
1SS387(TL3FD)TR
1SS387(TL3FD)TR-ND
1SS387,L3F(B
1SS387,L3F(T
1SS387L3FTR
1SS387TL3FD
Temperatura di funzionamento - Giunzione 125°C (Max) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo diodo Standard
Descrizione dettagliata Diode Standard 80V 100mA Surface Mount ESC Corrente - Dispersione inversa a Vr 500nA @ 80V
Corrente - raddrizzata media (Io) 100mA Capacità a Vr, F 3pF @ 0V, 1MHz
Numero di parte base 1SS387

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