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1SS307E,L3F

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Numero di parte 1SS307E,L3F
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 3780955 pcs
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Numero di parte 1SS307E,L3F fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 3780955 pcs Scheda dati 1SS307E
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3V @ 100mA
Tensione - inversa (Vr) (max) 80V Contenitore dispositivo fornitore SC-79
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro SC-79, SOD-523
Altri nomi 1SS307E,L3F(B
1SS307E,L3F(T
1SS307EL3FTR
Temperatura di funzionamento - Giunzione 150°C (Max)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo Standard Descrizione dettagliata Diode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-79
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10nA @ 80V Corrente - raddrizzata media (Io) 100mA
Capacità a Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz

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