THGAF8T0T43BAIR

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| Numero di parte | THGAF8T0T43BAIR |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Memory America, Inc. |
| Descrizione | 128GB VER. 2.1 UFS UNIVERSAL FLA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $33.828 | $30.45 | $29.786 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | THGAF8T0T43BAIR | fabbricante | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | 128GB VER. 2.1 UFS UNIVERSAL FLA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 1329 pcs | Scheda dati | THGAF8zzzz3 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 2.7 V ~ 3.6 V | Tecnologia | FLASH - NAND |
| Contenitore dispositivo fornitore | 153-VFBGA (11.5x13) | Serie | Consumer UFS |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 153-VFBGA |
| Altri nomi | THGAF8T0T43BAIRH2L | temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Non-Volatile | Dimensione della memoria | 1Tb (128G x 8) |
| Interfaccia di memoria | UFS | Formato di memoria | FLASH |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | FLASH - NAND Memory IC 1Tb (128G x 8) UFS 153-VFBGA (11.5x13) |
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