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TC58CYG0S3HQAIE

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Numero di parte TC58CYG0S3HQAIE
fabbricante Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5907 pcs
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Numero di parte TC58CYG0S3HQAIE fabbricante Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5907 pcs Scheda dati TC58CYG0S3HxAIx
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.95 V Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore 16-SOP Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Altri nomi TC58CYG0S3HQAIEY0J
TC58CYG0S3HQAIEYCJ
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Non-Volatile Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria SPI Formato di memoria FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) SPI 104MHz 155µs 16-SOP
Frequenza dell'orologio 104MHz Tempo di accesso 155µs

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Toshiba Memory America, Inc. TC58CYG0S3HQAIE. Distributore TC58CYG0S3HQAIE. TC58CYG0S3HQAIE fornitore. Prezzo TC58CYG0S3HQAIE. TC58CYG0S3HQAIE Scarica la scheda tecnica Foglio dati TC58CYG0S3HQAIE. Stock TC58CYG0S3HQAIE.Acquista TC58CYG0S3HQAIE. Toshiba Memory America, Inc. TC58CYG0S3HQAIE.