TC58BVG2S0HBAI4
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| Numero di parte | TC58BVG2S0HBAI4 |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Memory America, Inc. |
| Descrizione | IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 50 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.96 | $1.789 | $1.755 | $1.743 | ||
| 210 pcs | 420 pcs | 630 pcs | 1050 pcs | ||
| $1.563 | $1.557 | $1.46 | $1.398 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TC58BVG2S0HBAI4 | fabbricante | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 27296 pcs | Scheda dati | TC58BVG2S0HBAI4 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 25ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.7 V ~ 3.6 V | Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 63-TFBGA (9x11) | Serie | Benand™ |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 63-VFBGA |
| Altri nomi | ASTC58BVG2S0HBAI4 TC58BVG2S0HBAI4JDH TC58BVG2S0HBAI4YCL TC58BVG2S0HBAIJDH |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Non-Volatile | Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | FLASH |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 63-TFBGA (9x11) |
| Tempo di accesso | 25ns |
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