TSM60NB900CP ROG
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| Numero di parte | TSM60NB900CP ROG |
|---|---|
| fabbricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.463 | $0.409 | $0.323 | $0.251 | $0.198 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TSM60NB900CP ROG | fabbricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 113648 pcs | Scheda dati | TSM60NB900CP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 900 mOhm @ 1.2A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 36.8W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | TSM60NB900CP ROGCT TSM60NB900CP ROGCT-ND TSM60NB900CPROGCT |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard | 36 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 4A (Tc) 36.8W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
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