TSM048NB06LCR RLG
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| Numero di parte | TSM048NB06LCR RLG |
|---|---|
| fabbricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descrizione | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.268 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TSM048NB06LCR RLG | fabbricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 83240 pcs | Scheda dati | TSM045NB06CR |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-PDFN (5x6) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 16A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 136W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerLDFN |
| Altri nomi | TSM048NB06LCRRLGTR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6253pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 16A (Ta), 107A (Tc) 3.1W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 107A (Tc) |
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