TSM026NA03CR RLG
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| Numero di parte | TSM026NA03CR RLG |
|---|---|
| fabbricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.189 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TSM026NA03CR RLG | fabbricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 100194 pcs | Scheda dati | TSM026NA03CR |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-PDFN (5x6) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 24A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | TSM026NA03CR RLGTR TSM026NA03CR RLGTR-ND TSM026NA03CRRLGTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2540pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 168A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 168A (Tc) |
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