1N5622C.TR
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| Numero di parte | 1N5622C.TR |
|---|---|
| fabbricante | Semtech |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.209 | $1.971 | $1.616 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 1N5622C.TR | fabbricante | Semtech |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 20111 pcs | Scheda dati | 1N5614C thru 1N5622C |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.1V @ 1A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 1000V | Contenitore dispositivo fornitore | Axial |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 2µs | imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | Axial | Altri nomi | 1N5622C.CT |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 175°C | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable | Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
| Tipo diodo | Avalanche | Descrizione dettagliata | Diode Avalanche 1000V 2A Through Hole Axial |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 500nA @ 1000V | Corrente - raddrizzata media (Io) | 2A |
| Capacità a Vr, F | 23pF @ 5V, 1MHz |
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