STW26N60M2
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| Numero di parte | STW26N60M2 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 600 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.975 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STW26N60M2 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 32090 pcs | Scheda dati | STx26N60M2 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 (IXFH) | Serie | MDmesh™ M2 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 165 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 169W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 20A (Tc) 169W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
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