STV160NF02LAT4
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| Numero di parte | STV160NF02LAT4 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 600 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.533 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STV160NF02LAT4 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 21537 pcs | Scheda dati | STV160NF02LA |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±15V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 10-PowerSO | Serie | STripFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 80A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 210W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 175nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |
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