STU9HN65M2
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| Numero di parte | STU9HN65M2 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 75 pcs | 150 pcs | 525 pcs | 1050 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.494 | $0.395 | $0.345 | $0.268 | $0.212 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STU9HN65M2 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 110941 pcs | Scheda dati | STU9HN65M2 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK | Serie | MDmesh™ M2 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 820 mOhm @ 2.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi | 497-16026-5 | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
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- Parte#:
IS42S32400B-7TL - Produttori:
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) - Descrizione:
IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II - Disponibile:
4831