STU3N65M6
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| Numero di parte | STU3N65M6 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 650V 3.5A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.158 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | STU3N65M6 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 650V 3.5A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 143611 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.75V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK | Serie | MDmesh™ M6 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.75A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 3.5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) |
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