STS19N3LLH6
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| Numero di parte | STS19N3LLH6 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STS19N3LLH6 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5425 pcs | Scheda dati | STS19N3LLH6 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 9.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.7W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | 497-12677-2 STS19N3LLH6-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1690pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 15V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 19A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
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