STQ1NK80ZR-AP
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| Numero di parte | STQ1NK80ZR-AP |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.112 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STQ1NK80ZR-AP | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 179016 pcs | Scheda dati | STx1NK80ZR(R-AP,-1) |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-92-3 | Serie | SuperMESH™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 16 Ohm @ 500mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Box (TB) | Contenitore / involucro | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Altri nomi | 497-6197-3 STQ1NK80ZRAP |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 38 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 800V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Tc) |
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