STP80N6F6
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| Numero di parte | STP80N6F6 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V TO-220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.665 | $0.589 | $0.466 | $0.361 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STP80N6F6 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V TO-220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 86903 pcs | Scheda dati | STP80N6F6 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 | Serie | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 50A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | 497-13976-5 STP80N6F6-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7480pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 110A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
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