STP25N60M2-EP
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| Numero di parte | STP25N60M2-EP |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.728 | $1.387 | $1.264 | $1.023 | $0.863 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STP25N60M2-EP | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 43179 pcs | Scheda dati | STP25N60M2-EP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.75V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 | Serie | MDmesh™ M2-EP |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 188 mOhm @ 9A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | 497-15892-5 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1090pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
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- Parte#:
CPS19-NO00A10-SNCCWTWF-AI0CWVAR-W1008-S - Produttori:
Schurter - Descrizione:
SWITCH PUSH SPST-NO 100MA 42V - Disponibile:
4659