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Numero di parte STP23N80K5
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 800V 16A
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 44104 pcs
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Numero di parte STP23N80K5 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 800V 16A Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 44104 pcs Scheda dati STP23N80K5
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 Serie MDmesh™ K5
Rds On (max) a Id, Vgs 280 mOhm @ 8A, 10V Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi 497-16319-5 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 100V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 800V
Descrizione dettagliata N-Channel 800V 16A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220-3 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)

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