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STP13N65M2

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Numero di parte STP13N65M2
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 57150 pcs
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Numero di parte STP13N65M2 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 10A TO220 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 57150 pcs Scheda dati ST(P,U)13N65M2
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 Serie MDmesh™ M2
Rds On (max) a Id, Vgs 430 mOhm @ 5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi 497-15555-5 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 100V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)

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