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STP12N65M5

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Numero di parte STP12N65M5
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 51596 pcs
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Numero di parte STP12N65M5 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 51596 pcs Scheda dati STx12N65M5
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie MDmesh™ V
Rds On (max) a Id, Vgs 430 mOhm @ 4.3A, 10V Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi 497-10304-5 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650V Descrizione dettagliata N-Channel 650V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.5A (Tc)

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