STP11NM80
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| Numero di parte | STP11NM80 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.464 | $1.981 | $1.805 | $1.461 | $1.232 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STP11NM80 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 24822 pcs | Scheda dati | STx11NM80 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB | Serie | MDmesh™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | 497-4369-5 | temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 800V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 11A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
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