STN1N20
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| Numero di parte | STN1N20 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 1A SOT223 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.481 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STN1N20 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 1A SOT223 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 67405 pcs | Scheda dati | STN1N20 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-223 | Serie | MESH OVERLAY™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 500mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.9W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi | 497-3176-6 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 206pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.7nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200V | Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 1A (Tc) 2.9W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
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