STLD200N4F6AG
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| Numero di parte | STLD200N4F6AG |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.476 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STLD200N4F6AG | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 65176 pcs | Scheda dati | STLD200N4F6AG |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) Dual Side | Serie | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 75A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 158W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | 497-17148-2 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 38 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10700pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 172nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 120A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Dual Side | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
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