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STL6NM60N

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Numero di parte STL6NM60N
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 58057 pcs
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Numero di parte STL6NM60N fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 58057 pcs Scheda dati STL6NM60N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PowerFLAT™ (5x5) Serie MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs 920 mOhm @ 2.3A, 10V Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerVDFN
Altri nomi 497-7992-2
STL6NM60N-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 5.75A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount PowerFLAT™ (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.75A (Tc)

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