STL26NM60N
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| Numero di parte | STL26NM60N |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.214 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STL26NM60N | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 29581 pcs | Scheda dati | STL26NM60N |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerFlat™ (8x8) HV | Serie | MDmesh™ II |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 185 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 125mW (Ta), 3W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | 497-11207-2 | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 50V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 2.7A (Ta), 19A (Tc) 125mW (Ta), 3W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta), 19A (Tc) |
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