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STH410N4F7-2AG

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Numero di parte STH410N4F7-2AG
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 40V H2PAK-2
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 24646 pcs
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Numero di parte STH410N4F7-2AG fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 40V H2PAK-2 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 24646 pcs Scheda dati STH410N4F7-2AG, STH410N4F7-6AG
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore H2Pak-2 Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
Rds On (max) a Id, Vgs 1.1 mOhm @ 90A, 10V Dissipazione di potenza (max) 365W (Tc)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi 497-16421-6 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 38 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11500pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 141nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 40V
Descrizione dettagliata N-Channel 40V 200A (Tc) 365W (Tc) Surface Mount H2Pak-2 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)

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