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STGW30M65DF2

STGW30M65DF2
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Numero di parte STGW30M65DF2
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 49923 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs30 pcs120 pcs510 pcs1020 pcs
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Numero di parte STGW30M65DF2 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 49923 pcs Scheda dati STGW(A)30M65DF2 Datasheet
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2V @ 15V, 30A Condizione di test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 31.6ns/115ns di scambio energetico 300µJ (on), 960µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 140ns Potenza - Max 258W
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3
Altri nomi 497-16485-5 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard Tipo IGBT Trench Field Stop
carica gate 80nC Descrizione dettagliata IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-247
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 120A Corrente - collettore (Ic) (max) 60A

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