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STGP4M65DF2

STGP4M65DF2
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Numero di parte STGP4M65DF2
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 108811 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte STGP4M65DF2 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 108811 pcs Scheda dati Power Mgmt Guide BrochureSTGP4M65DF2 Datasheet
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.1V @ 15V, 4A Condizione di test 400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 12ns/86ns di scambio energetico 40µJ (on), 136µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie M
Tempo di ripristino inverso (trr) 133ns Potenza - Max 68W
Contenitore / involucro TO-220-3 Altri nomi 497-17548
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT Trench Field Stop carica gate 15.2nC
Descrizione dettagliata IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Through Hole TO-220AB Corrente - collettore Pulsed (Icm) 16A
Corrente - collettore (Ic) (max) 8A

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