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STGD6M65DF2

STGD6M65DF2
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Numero di parte STGD6M65DF2
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 115913 pcs
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Numero di parte STGD6M65DF2 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 115913 pcs Scheda dati STGD6M65DF2 Datasheet
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2V @ 15V, 6A Condizione di test 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 15ns/90ns di scambio energetico 36µJ (on), 200µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie M
Tempo di ripristino inverso (trr) 140ns Potenza - Max 88W
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi 497-16966-2 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT Trench Field Stop carica gate 21.2nC
Descrizione dettagliata IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK Corrente - collettore Pulsed (Icm) 24A
Corrente - collettore (Ic) (max) 12A

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