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STGB4M65DF2

STGB4M65DF2
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Numero di parte STGB4M65DF2
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 124885 pcs
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Numero di parte STGB4M65DF2 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 124885 pcs Scheda dati STGB4M65DF2 Datasheet
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.1V @ 15V, 4A Condizione di test 400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 12ns/86ns di scambio energetico 40µJ (on), 136µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK Serie M
Tempo di ripristino inverso (trr) 133ns Potenza - Max 68W
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi 497-16964-2 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard Tipo IGBT Trench Field Stop
carica gate 15.2nC Descrizione dettagliata IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount D2PAK
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 16A Corrente - collettore (Ic) (max) 8A

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