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STG3P2M10N60B

STG3P2M10N60B
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Numero di parte STG3P2M10N60B
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5407 pcs
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Numero di parte STG3P2M10N60B fabbricante STMicroelectronics
Descrizione IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5407 pcs Scheda dati STG3P2M10N60B
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.5V @ 15V, 7A Contenitore dispositivo fornitore SEMITOP®2
Serie SEMITOP® Potenza - Max 56W
Contenitore / involucro SEMITOP®2 Altri nomi 497-5216
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Termistore NTC No
Tipo montaggio Chassis Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 0.72nF @ 25V
Ingresso Single Phase Bridge Rectifier Tipo IGBT -
Descrizione dettagliata IGBT Module Three Phase Inverter 600V 19A 56W Chassis Mount SEMITOP®2 Corrente - Cutoff collettore (max) 10µA
Corrente - collettore (Ic) (max) 19A Configurazione Three Phase Inverter

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