STFU9N65M2
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| Numero di parte | STFU9N65M2 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.293 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STFU9N65M2 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 69878 pcs | Scheda dati | STFU9N65M2 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220FP | Serie | MDmesh™ M2 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 20W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
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