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STFI9N60M2

STFI9N60M2
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Numero di parte STFI9N60M2
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 66789 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte STFI9N60M2 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 66789 pcs Scheda dati STF9N60M2
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I2PAKFP (TO-281) Serie MDmesh™ II Plus
Rds On (max) a Id, Vgs 780 mOhm @ 3A, 10V Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 5.5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)

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