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STFI24N60M2

STFI24N60M2
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Numero di parte STFI24N60M2
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N CH 600V 18A TO281
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 50446 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte STFI24N60M2 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N CH 600V 18A TO281 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 50446 pcs Scheda dati STF(I, W)24N60M2
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I2PAKFP (TO-281) Serie MDmesh™ II Plus
Rds On (max) a Id, Vgs 190 mOhm @ 9A, 10V Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Altri nomi 497-13598-5 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 18A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)

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