STFI10N65K3
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| Numero di parte | STFI10N65K3 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.258 | $1.01 | $0.92 | $0.745 | $0.629 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STFI10N65K3 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 58166 pcs | Scheda dati | STx(x)10N65K3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I2PAKFP (TO-281) | Serie | SuperMESH3™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1 Ohm @ 3.6A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Altri nomi | 497-13578-5 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
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