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STF27N60M2-EP

STF27N60M2-EP
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Numero di parte STF27N60M2-EP
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 52927 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte STF27N60M2-EP fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 52927 pcs Scheda dati STF27N60M2-EP DatasheetSpice Model Tutorial for Power MOSFETS
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.75V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP Serie MDmesh™ M2-EP
Rds On (max) a Id, Vgs 163 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Altri nomi 497-16487-5 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 100V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 20A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

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