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STD9NM60N

STD9NM60N
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Numero di parte STD9NM60N
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 83516 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte STD9NM60N fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 83516 pcs Scheda dati STx9NM60N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs 745 mOhm @ 3.25A, 10V Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi 497-10959-2 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 452pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.4nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 6.5A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Tc)

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