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STD8N60DM2

STD8N60DM2
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Numero di parte STD8N60DM2
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 86339 pcs
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Numero di parte STD8N60DM2 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 86339 pcs Scheda dati STD8N60DM2 DatasheetPower Mgmt Guide Brochure
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie MDmesh™ DM2
Rds On (max) a Id, Vgs 600 mOhm @ 4A, 10V Dissipazione di potenza (max) 85W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi 497-16930-2 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 375pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)

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