STD80N4F6
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| Numero di parte | STD80N4F6 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.354 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STD80N4F6 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 57807 pcs | Scheda dati | STD80N4F6 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK | Serie | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 6 mOhm @ 40A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 70W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | 497-13576-2 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V | Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 80A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
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