STD4NK80Z-1
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| Numero di parte | STD4NK80Z-1 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 75 pcs | 150 pcs | 525 pcs | 1050 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.71 | $0.572 | $0.515 | $0.40 | $0.332 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STD4NK80Z-1 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 57940 pcs | Scheda dati | ST(D,P)4NK80Z(-1,FP) |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK | Serie | SuperMESH™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi | 497-12560-5 STD4NK80Z-1-ND STD4NK80Z1 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 800V | Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 3A (Tc) 80W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
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