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STD15N60M2-EP

STD15N60M2-EP
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Numero di parte STD15N60M2-EP
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 74182 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		2500 pcs
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Numero di parte STD15N60M2-EP fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 74182 pcs Scheda dati STD15N60M2-EP
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie MDmesh™ M2-EP
Rds On (max) a Id, Vgs 378 mOhm @ 5.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi 497-15899-2 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)

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