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STD13N60DM2

STD13N60DM2
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Numero di parte STD13N60DM2
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP.,
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 66792 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte STD13N60DM2 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP., Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 66792 pcs Scheda dati Power Mgmt Guide BrochureSTD13N60DM2 Datasheet
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie MDmesh™ DM2
Rds On (max) a Id, Vgs 365 mOhm @ 5.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi 497-16926-2 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)

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