STB9NK80Z
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| Numero di parte | STB9NK80Z |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V D2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.662 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STB9NK80Z | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V D2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 47780 pcs | Scheda dati | STB9NK80Z |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK | Serie | Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | 497-13936-2 STB9NK80Z-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 38 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1138pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 800V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A (Tc) |
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