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STB42N60M2-EP

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Numero di parte STB42N60M2-EP
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 24342 pcs
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Numero di parte STB42N60M2-EP fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 24342 pcs Scheda dati ST(B,P,W)42N60M2-EP
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.75V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK Serie MDmesh™ M2-EP
Rds On (max) a Id, Vgs 87 mOhm @ 17A, 10V Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi 497-15896-6 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2370pF @ 100V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 34A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc)

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