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STB3N62K3

STB3N62K3
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Numero di parte STB3N62K3
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 73788 pcs
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Numero di parte STB3N62K3 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 73788 pcs Scheda dati STx3N62K3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK Serie SuperMESH3™
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi 497-8476-6 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 385pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 620V Descrizione dettagliata N-Channel 620V 2.7A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Tc)

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