STB33N60M2
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| Numero di parte | STB33N60M2 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.153 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STB33N60M2 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 30156 pcs | Scheda dati | STB33N60M2 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK | Serie | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 125 mOhm @ 13A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | 497-14973-2 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1781pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 26A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
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