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STB20NM60D

STB20NM60D
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Numero di parte STB20NM60D
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 25896 pcs
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Numero di parte STB20NM60D fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 25896 pcs Scheda dati STB20NM60D
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK Serie FDmesh™
Rds On (max) a Id, Vgs 290 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 192W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi 497-6193-2 temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 20A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount D2PAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

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