STB18N55M5
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| Numero di parte | STB18N55M5 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.42 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STB18N55M5 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 21178 pcs | Scheda dati | STB,D,F,P18N55M5 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK | Serie | MDmesh™ V |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 192 mOhm @ 8A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | 497-11227-1 497-11227-5 497-11227-5-ND |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 550V | Descrizione dettagliata | N-Channel 550V 16A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
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